功能描述：MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

制造商：cree/wolfspeed

系列：C3M?

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1000V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：35nC @ 15V

Vgs（最大值）：+15V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 600V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：113.5W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 20A，15V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK-7

封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA

标准包装：50

C3UKM01NBF

C3UKP06N

C3UKP07N

C3UKPM01N

C3-Y1.2R-220

C3-Y1.8R-2R2

C40

C4000-13

C-4000NM

C4002C1-L